伴隨著(zhù)科學(xué)的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，存儲器不斷被提出并被應用于現今社會(huì )，在今天，電阻存儲器的研究已經(jīng)非常普遍，因為電阻存儲器[36-39]具有其本身非常大的優(yōu)點(diǎn)，具體地說(shuō)，首先它具有非常大的存儲密度，因為電阻存儲器采用的是納米技術(shù)工藝，也就是說(shuō)在幾十納米的數量級范圍內對器件進(jìn)行設計和構造，所以它具有非常大的存儲密度，正是因為這樣，它具有很大的存儲容量。另外電阻存儲器還具有非易失的特性，從電阻開(kāi)關(guān)的 I-V 電學(xué)測試圖中我們可以看到，當電阻開(kāi)關(guān)形成以后，無(wú)論是單極性電阻開(kāi)關(guān)還是雙極性電阻開(kāi)關(guān)它們都具有電阻狀態(tài)的保特性，也就是說(shuō)，當一個(gè)脈沖電壓過(guò)來(lái)的時(shí)候電阻開(kāi)關(guān)會(huì )被激發(fā)到一定的電阻形態(tài)并保持這個(gè)形態(tài)，一直到下一個(gè)脈沖電壓激勵的到來(lái)，電阻開(kāi)關(guān)會(huì )跳變?yōu)榱硪蛔钁B(tài)。通過(guò)這種性質(zhì)很容易對電阻開(kāi)關(guān)進(jìn)行讀和寫(xiě)的操作，當一個(gè)脈沖過(guò)來(lái)時(shí)候，電阻開(kāi)關(guān)被這個(gè)脈沖激發(fā)為低阻態(tài)，這個(gè)過(guò)程也就是我們所說(shuō)的 Set 過(guò)程，由于這時(shí)候電阻相對于整個(gè) I-V 曲線(xiàn)來(lái)說(shuō)是比較低的，所以把它叫做低電阻態(tài)，可以在這個(gè)時(shí)候對數據進(jìn)行存儲，把所要的數據放入存儲器中，當第二個(gè)脈沖電壓到來(lái)的時(shí)候，當電阻被激發(fā)為高阻態(tài)時(shí)候，這個(gè)時(shí)候電阻率相對于整個(gè)過(guò)程來(lái)說(shuō)*高，因此電流小，這個(gè)時(shí)候被叫做 Reset 過(guò)程，可以通過(guò)這個(gè)過(guò)程來(lái)實(shí)現對數據的保存；電阻開(kāi)關(guān)還具有自身的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是功耗比較低，因為它不需要很大電壓來(lái)驅動(dòng)，在斷電時(shí)候也可以保持原有的狀態(tài)，所以在其對數據進(jìn)行保存的過(guò)程中是不需要耗費電量。

根據電阻開(kāi)關(guān)跳變過(guò)程是否與電壓的極性相關(guān)，可以分為雙極性電阻開(kāi)關(guān)和單極性電阻開(kāi)關(guān)如圖 1-13，圖中雙極性電阻開(kāi)關(guān)的跳變過(guò)程除了與電壓的大小有關(guān)系之外還和電壓的極性有關(guān)，但是，在單極性電阻開(kāi)關(guān)中，我們可以看到無(wú)論是在正的電壓下條件下還是在負的電壓條件下，電阻形態(tài)都會(huì )經(jīng)歷由低阻態(tài)變?yōu)楦咦钁B(tài)同時(shí)由高阻態(tài)變回低組態(tài)，這兩種電阻跳變過(guò)程，在同一電壓極性范圍之內都會(huì )發(fā)生。

有趣的是隨著(zhù)時(shí)代的發(fā)展和科研人員的努力，我們在此同時(shí)又發(fā)現了一種無(wú)極性電阻開(kāi)關(guān)和非常規性雙極性電阻開(kāi)關(guān)，無(wú)極性電阻開(kāi)關(guān)的電阻形態(tài)的變化不會(huì )隨著(zhù)電壓方向的變化而變化，同時(shí)電阻形態(tài)的變化可以發(fā)生在任何方向的電壓條件之內，也就是高低阻態(tài)的變化可以發(fā)生在正電壓的激發(fā)條件下同時(shí)也可以發(fā)生在負電壓的激發(fā)條件下。它和單極性電阻開(kāi)關(guān)的區別在于，單極性電阻開(kāi)關(guān)的組態(tài)變化只能從低電阻變化為高電阻，然后再從高電阻變回低電阻，但是無(wú)極性電阻開(kāi)關(guān)的電阻形態(tài)是可以自己選擇的。它和雙極性電阻開(kāi)關(guān)的不同之處在于，雙極性電阻開(kāi)關(guān)的電阻形態(tài)的改變是要依賴(lài)于電壓極性的變化，而無(wú)極性電阻開(kāi)關(guān)電阻形態(tài)的變化不依賴(lài)于電壓形態(tài)的變化。

電阻開(kāi)關(guān)的機制現在普遍被人們認為的是體效應和界面效應，體效應中主要的就是導電絲的形成和斷裂，導電細絲的產(chǎn)生會(huì )有兩種，一種是金屬導電絲，另一種是半導體導電細絲，金屬導電細絲的形成是因為金屬上電極發(fā)生了變化，變?yōu)榭梢宰杂梢苿?dòng)的金屬離子，金屬離子在半導體內部逐漸積累，后形成了可以導電的金屬細絲，而當電壓過(guò)大，或者電流過(guò)大的時(shí)候金屬細絲就會(huì )發(fā)生斷裂，因此電阻開(kāi)關(guān)這個(gè)時(shí)候就會(huì )返回到高阻態(tài)。半導體薄膜電阻開(kāi)關(guān)內部存在著(zhù)帶正電的氧空位，氧空位會(huì )在電壓和一定的限制電流的條件下排列成導電細絲，這時(shí)候電阻開(kāi)關(guān)就會(huì )表現為低阻態(tài)，但是隨著(zhù)電壓的升高，溫度逐漸升高，電阻導電絲就會(huì )發(fā)生熔斷，于此同時(shí)電阻開(kāi)關(guān)返回到原來(lái)個(gè)高阻態(tài)，這就是電阻開(kāi)關(guān)體效應電阻絲理論的基本解釋機制。另外一種機制叫做界面效應，他們認為電阻開(kāi)關(guān)的薄膜半導體內部存在著(zhù)大量的缺陷和大量帶正電的氧空位，這些氧空位在上電極帶正電的情況下會(huì )向下電極方向移動(dòng)，與此同時(shí)，由于缺陷的存在，大量帶正電的氧空位被大量的缺陷所捕獲，這就使得剛開(kāi)始的電阻比較大，然而當電壓增大到一定階段的時(shí)候，的缺陷都被氧空位填滿(mǎn)的時(shí)候，我們可以發(fā)現這個(gè)時(shí)候帶正電的氧空位已經(jīng)成為可以自由導電的載流子，電阻開(kāi)關(guān)的電阻形態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，當正電極通上負電壓的時(shí)候我們可以發(fā)現，這個(gè)時(shí)候帶正電的氧空位會(huì )被吸引到上電極，與此同時(shí)隨著(zhù)缺陷逐漸將氧空位釋放出來(lái)，電阻開(kāi)關(guān)又恢復到高阻態(tài)。在電阻開(kāi)關(guān)的研究之中我們不能忘記的就是電阻開(kāi)關(guān)可以作為實(shí)現邏輯電路的門(mén)電路來(lái)實(shí)現，因為電阻開(kāi)關(guān)具有很好的保持特性，也就是存儲特性，同時(shí)電壓的激發(fā)可以直接將所需信息寫(xiě)入存儲器或者查出或者讀出來(lái)，所以，用電阻開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現邏輯門(mén)電路，可以直接運用到集成電路之中，現階段存儲器的發(fā)展已經(jīng)伴隨著(zhù)集成電路的應用進(jìn)入了一個(gè)時(shí)代，現在以半導體電阻開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現邏輯門(mén)電路的人也是越來(lái)越多，我們不但實(shí)現了門(mén)電路，還要將它們應用到集成電路中，來(lái)實(shí)現片內存儲器和片外存儲器，同時(shí)經(jīng)過(guò)總線(xiàn)的控制可以寫(xiě)入和讀出數據。