半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統的產(chǎn)品原理是什么？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。盡管單個(gè)TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明，極化峰值越高，TSDC曲線(xiàn)越大，而HTRB性能越差，但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強放電信號時(shí)的某些故障。因此，弛豫時(shí)間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個(gè)關(guān)鍵參數。

關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)，為華測公司在國內較早提及目前已被廣泛應用到較多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的，同時(shí)加速?lài)a(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無(wú)錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

產(chǎn)品原理：

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實(shí)驗技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個(gè)極化過(guò)程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場(chǎng)強度下。在此之后，試樣在外加電場(chǎng)的作用下迅速進(jìn)行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內。然后進(jìn)行升溫將駐極體內的電荷進(jìn)行釋放，同時(shí)配合測量?jì)x器進(jìn)行測量，并為科研人員進(jìn)行分析。通過(guò)TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會(huì )發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴(lài)于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會(huì )干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過(guò)TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數量也是一個(gè)重要的影響因素。

產(chǎn)品參數：

設備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數據傳輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm